SIHG22N60E-E3

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SIHG22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Numéro de pièce：

SIHG22N60E-E3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

RoHS：

YES

：

SIHG22N60E-E3 SIHG22N60E-E3 SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

600 V

Colis/Caisse：

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur：

TO-247AC

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

21A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

86 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

227W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

180mOhm @ 11A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1920 pF @ 100 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1627

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

4.71

4.71

25

3.73

93.25

100

3.2

320

500

2.85

1425

1000

2.43

2430

2000

2.29

4580

5000

2.2

11000

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