TJ10S04M3L(T6L1,NQ

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TJ10S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 10A DPAK

Numéro de pièce：

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Fabricant：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 40V 10A DPAK

RoHS：

YES

：

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

TJ10S04M3L(T6L1,NQ Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

40 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Type FET：

P-Channel

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Température de fonctionnement：

175°C (TJ)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

10A (Ta)

Package d'appareil du fournisseur：

DPAK+

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

19 nC @ 10 V

Vgs (Max)：

+10V, -20V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 1mA

Dissipation de puissance (maximum)：

27W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

930 pF @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

44mOhm @ 5A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：3595

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2000

0.57

1140

6000

0.54

3240

10000

0.53

5300

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