TK12A53D(STA4,Q,M)

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TK12A53D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS

Numéro de pièce：

TK12A53D(STA4,Q,M)

Fabricant：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS

RoHS：

YES

：

TK12A53D(STA4,Q,M) TK12A53D(STA4,Q,M)

TK12A53D(STA4,Q,M) Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Vgs (Max)：

±30V

Colis/Caisse：

TO-220-3 Full Pack

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 1mA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220SIS

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

25 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

45W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1350 pF @ 25 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

12A (Ta)

Tension drain-source (Vdss)：

525 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

580mOhm @ 6A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

2.65

2.65

50

2.13

106.5

100

1.76

176

500

1.49

745

1000

1.27

1270

2000

1.2

2400

5000

1.16

5800

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