TK18A50D(STA4,Q,M)

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TK18A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS

Numéro de pièce：

TK18A50D(STA4,Q,M)

Modèle alternatif：

TK15A50D(STA4 , Q , M) , TK19A50W , S5X

Fabricant：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS

RoHS：

YES

：

TK18A50D(STA4,Q,M) TK18A50D(STA4,Q,M)

TK18A50D(STA4,Q,M) Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

45 nC @ 10 V

Vgs (Max)：

±30V

Dissipation de puissance (maximum)：

50W (Tc)

Colis/Caisse：

TO-220-3 Full Pack

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 1mA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220SIS

Tension drain-source (Vdss)：

500 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

18A (Ta)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2600 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

270mOhm @ 9A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1614

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

3.72

3.72

50

2.95

147.5

100

2.53

253

500

2.24

1120

1000

1.93

1930

2000

1.82

3640

5000

1.74

8700

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