TK3A65DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Numéro de pièce：
TK3A65DA(STA4,QM)
Fabricant：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
RoHS：
YES
TK3A65DA(STA4,QM) Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Température de fonctionnement：
150°C (TJ)
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±30V
Tension drain-source (Vdss)：
650 V
Colis/Caisse：
TO-220-3 Full Pack
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
2.5A (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220SIS
Dissipation de puissance (maximum)：
35W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
11 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
490 pF @ 25 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.4V @ 1mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
2.51Ohm @ 1.3A, 10V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
1.62
1.62
50
1.3
65
100
1.02
102
500
0.87
435
1000
0.7
700
2000
0.67
1340
5000
0.64
3200
10000
0.61
6100
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