TK4A60DB(STA4,Q,M)

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TK4A60DB(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS

Numéro de pièce：

TK4A60DB(STA4,Q,M)

Fabricant：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS

RoHS：

YES

TK4A60DB(STA4,Q,M) Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Vgs (Max)：

±30V

Tension drain-source (Vdss)：

600 V

Colis/Caisse：

TO-220-3 Full Pack

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220SIS

Dissipation de puissance (maximum)：

35W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3.7A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

11 nC @ 10 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.4V @ 1mA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

540 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

2Ohm @ 1.9A, 10V

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