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TK60P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

Numéro de pièce：

TK60P03M1,RQ(S

Fabricant：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

RoHS：

YES

TK60P03M1,RQ(S Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur：

DPAK

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

60A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

40 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

63W (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.3V @ 500µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2700 pF @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

6.4mOhm @ 30A, 10V

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