TK8S06K3L(T6L1,NQ)

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TK8S06K3L(T6L1,NQ)

MOSFET N-CH 60V 8A DPAK

Numéro de pièce：

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Modèle alternatif：

TK25S06N1L , LQ , TS04-66-73-BK-100-SMT , 5103308-3 , STD16NF06T4 , EDZVT2R3.6B , AOD444 , R-78B5.0-2.0 , TK25S06N1L , LXHQ , 2SC5712(TE12L , F) , RD3L080SNTL1 , B4B-XH-A , 1SS352 , H3F , IPW50R250CPFKSA1 , B3B-XH-A

Fabricant：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 8A DPAK

RoHS：

YES

TK8S06K3L(T6L1,NQ) Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Vgs (Max)：

±20V

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Température de fonctionnement：

175°C (TJ)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

8A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

10 nC @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

DPAK+

Dissipation de puissance (maximum)：

25W (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 1mA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

400 pF @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

54mOhm @ 4A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：3601

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2000

0.54

1080

6000

0.51

3060

10000

0.5

5000

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