TK9A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS
Numéro de pièce:
TK9A45D(STA4,Q,M)
Fabricant:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS
RoHS:
YES
TK9A45D(STA4,Q,M) Spécifications
Type de montage:
Through Hole
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Vgs (Max):
±30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
9A (Ta)
Colis/Caisse:
TO-220-3 Full Pack
Vgs(e) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss):
450 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
800 pF @ 25 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
16 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur:
TO-220SIS
Dissipation de puissance (maximum):
40W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
770mOhm @ 4.5A, 10V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:1650
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
1.76
1.76
50
1.41
70.5
100
1.12
112
500
0.95
475
1000
0.77
770
2000
0.73
1460
5000
0.69
3450
10000
0.68
6800
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