TPC6010-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
Numéro de pièce：
TPC6010-H(TE85L,FM
Fabricant：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
RoHS：
YES
TPC6010-H(TE85L,FM Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Température de fonctionnement：
150°C (TJ)
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
12 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum)：
700mW (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
VS-6 (2.9x2.8)
Vgs(e) (Max) @ Id：
2.3V @ 100µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
6.1A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
830 pF @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
59mOhm @ 3.1A, 10V
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