TPC6012(TE85L,F,M)

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TPC6012(TE85L,F,M)

MOSFET N-CH 20V 6A VS-6

Numéro de pièce：

TPC6012(TE85L,F,M)

Fabricant：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 20V 6A VS-6

RoHS：

YES

：

TPC6012(TE85L,F,M) TPC6012(TE85L,F,M)

TPC6012(TE85L,F,M) Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

6A (Ta)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 4.5V

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±12V

Dissipation de puissance (maximum)：

700mW (Ta)

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.2V @ 200µA

Package d'appareil du fournisseur：

VS-6 (2.9x2.8)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

9 nC @ 5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

630 pF @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

20mOhm @ 3A, 4.5V

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