TPC8129,LQ(S

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TPC8129,LQ(S

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

Numéro de pièce：

TPC8129,LQ(S

Modèle alternatif：

2SK3019-TP , HSME-C190 , SP202EEN-L/TR , IRFR9024NTRPBF , LM35DM/NOPB , PMPB11EN , 115

Fabricant：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

RoHS：

YES

：

TPC8129,LQ(S TPC8129,LQ(S

TPC8129,LQ(S Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOP

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

39 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

9A (Ta)

Vgs (Max)：

+20V, -25V

Dissipation de puissance (maximum)：

1W (Ta)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1650 pF @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

22mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 200µA

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：6456

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.2

500

5000

0.19

950

12500

0.18

2250

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0.17

4250

62500

0.17

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