IXFN100N50Q3

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IXFN100N50Q3

MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B

Numéro de pièce：

IXFN100N50Q3

Modèle alternatif：

EP2C5Q208C8 , AD5141BCPZ10-RL7

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B

RoHS：

YES

：

IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3 Spécifications

Type de montage：

Chassis Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Colis/Caisse：

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-227B

Tension drain-source (Vdss)：

500 V

Dissipation de puissance (maximum)：

960W (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

6.5V @ 8mA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

82A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

255 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

49mOhm @ 50A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

13800 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1609

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

63.69

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10

57.89

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100

52.11

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