IXFX64N60Q3
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Numéro de pièce：
IXFX64N60Q3
Modèle alternatif：
AD5124BCPZ10-RL7
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
RoHS：
YES
IXFX64N60Q3 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Dissipation de puissance (maximum)：
1250W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)：
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
64A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PLUS247™-3
Colis/Caisse：
TO-247-3 Variant
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
190 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
95mOhm @ 32A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id：
6.5V @ 4mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
9930 pF @ 25 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1617
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