IXFN62N80Q3

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IXFN62N80Q3

MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B

Numéro de pièce：

IXFN62N80Q3

Modèle alternatif：

IXFN66N85X , IXFN50N80Q2 , APT53F80J , IXFN56N90P , APT58M80J , AD5123BCPZ10-RL7

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B

RoHS：

YES

：

IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3 Spécifications

Type de montage：

Chassis Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Colis/Caisse：

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-227B

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

49A (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

800 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

270 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

960W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

13600 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

140mOhm @ 31A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

6.5V @ 8mA

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

63.69

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57.89

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