IXFX32N100Q3

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IXFX32N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

Numéro de pièce：

IXFX32N100Q3

Modèle alternatif：

DSEP29-12A , IXFB70N100X , IXFX52N100X , AD5122BCPZ10-RL7

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

RoHS：

YES

：

IXFX32N100Q3

IXFX32N100Q3 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Dissipation de puissance (maximum)：

1250W (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

1000 V

Package d'appareil du fournisseur：

PLUS247™-3

Colis/Caisse：

TO-247-3 Variant

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

32A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

195 nC @ 10 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

6.5V @ 8mA

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

320mOhm @ 16A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

9940 pF @ 25 V

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Quantité d'emballage standard：1856

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