IRF510

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IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Numéro de pièce：

IRF510

Modèle alternatif：

IRF510PBF , BS170 , PSMN013-100PS , 127 , 2N7000 , IRF710PBF , IRF510SPBF , IRF710 , STPS2L60 , 2N7000 , 2N3906-G , 1N4001 , 2N2222A , 1N4001 , CD4051BE , SN74LS08N

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

RoHS：

YES

：

IRF510 IRF510 IRF510

IRF510 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220AB

Colis/Caisse：

TO-220-3

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

5.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

540mOhm @ 3.4A, 10V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

8.3 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

180 pF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum)：

43W (Tc)

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