IXFQ34N50P3
MOSFET N-CH 500V 34A TO3P
Numéro de pièce：
IXFQ34N50P3
Modèle alternatif：
FDA24N50F , RHRP15120
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 500V 34A TO3P
RoHS：
YES
IXFQ34N50P3 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
34A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-3P
Colis/Caisse：
TO-3P-3, SC-65-3
Tension drain-source (Vdss)：
500 V
Dissipation de puissance (maximum)：
695W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3260 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
170mOhm @ 17A, 10V
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