IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Numéro de pièce：
IXTA1N200P3HV
Modèle alternatif：
IXTT1N250HV , APT9M100S , IXTH3N200P3HV , STN0214 , IXBK55N300 , G2R1000MT17J , STW3N170 , 0ADAP4000-RE , IXTT2N300P3HV , IXBX55N300 , IXTT1N300P3HV , DSPIC33FJ64MC802-I/MM , UF4010G_AY_00001 , ZXGD3005E6TA , IXTA02N250HV , IXTA1N200P3HV-TRL
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
RoHS：
YES
IXTA1N200P3HV Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (maximum)：
125W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
1A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-263AA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
23.5 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss)：
2000 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
40Ohm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 25 V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：2752
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
10.35
10.35
50
8.26
413
100
7.39
739
500
6.52
3260
1000
5.87
5870
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