IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Numéro de pièce：
IXTH1N200P3HV
Modèle alternatif：
G2R1000MT33J , IXTH3N200P3HV , ZXGD3005E6TA , IXTH02N250 , R4000GPS-TP , 5ST 10-R , 1N4007FL , Z4KE100A-E3/54 , CSV-PQ50/50-1S-12P , 0217015.MXEP , PQ50/50-3C95 , Z4KE150A-E3/54
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
RoHS：
YES
IXTH1N200P3HV Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Dissipation de puissance (maximum)：
125W (Tc)
Colis/Caisse：
TO-247-3 Variant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
1A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-247HV
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
23.5 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss)：
2000 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
40Ohm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 25 V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1877
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
9.97
9.97
30
7.95
238.5
120
7.12
854.4
510
6.28
3202.8
1020
5.65
5763
2010
5.29
10632.9
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